Les deux derniers modules, avec Mosfet et diodes Schottky en carbure de silicium, du japonais sont des modèles de 1200 V/400 A et 1200 V/600 A.

Rohm Semiconductor introduit deux modules de puissance de 1200 V avec Mosfet et diodes Schottky en carbure de silicium. Référencés BSM400D12P3G002 et BSM600D12P3G001, ces modules “tout SiC” de 400A et 600A respectivement, sont proposés selon une topologie en demi-pont. L’adoption d’un nouveau boîtier et une structure interne optimisée se traduisent ici par une inductance parasite ramenée à 10 nH. Ce qui a pour effet d’atténuer les phénomènes de surtension et de réduire les pertes en régime de commutation. En outre, la dissipation de la chaleur se révèle plus efficace grâce à une résistance thermique moindre entre semelle et dissipateur.

Ces modules de 62x152x17 mm ciblent les onduleurs solaires, les alimentations secourues (UPS) et les alimentations pour équipements industriels.