Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

Rohm annonce un module de puissance de 1200V/300A faisant exclusivement appel à des composants (Mosfet et diodes Schottky) en carbure de silicium. Le BSM300D12P2E001 est destiné aux onduleurs photovoltaïques et aux convertisseurs de puissance pour les équipements industriels.

Par rapport aux modules IGBT traditionnels, les pertes en régime de commutation sont beaucoup plus faibles (le gain atteint 77% selon la société). Ce qui se traduit par un système de refroidissement moins conséquent, mais aussi par la possibilité de fonctionner à une fréquence de commutation supérieure. La taille des composants passifs (inductances et condensateurs) périphériques s’en trouve incidemment réduite.

Des échantillons de ce module en demi-pont à faibles inductances parasites sont disponibles. Rappelons que Rohm a démarré dès mars 2012 la production de volume de modules de puissance “tout SiC”.