Le “Mos hybride” du japonais entend réduire les pertes dans les alimentations à découpage et des étages de conversion du facteur de puissance dans de nombreuses applications. Rohm a annoncé le développement d’un nouveau modèle de transistor haute tension combinant les avantages des Mosfet à superjonction et des IGBT.
A savoir, la vitesse de commutation élevée, ainsi que les caractéristiques à faible courant des premiers, et la forte tension de claquage des seconds.
Ce “Mos hybride” est destiné aux alimentations à découpage et aux étages de correction du facteur de puissance, dont il entend réduire les pertes sur une large plage d’intensités de courant.
Les cibles visées sont les serveurs, les équipements industriels et les produits domestiques. Les premiers produits seront disponibles cet été.