Exploitant le process en tranchée U-MOS IX-H de la société, les derniers Mosfet de 40V et 45V de Toshiba sont crédités d’un excellent facteur de mérite.
Toshiba Electronics Europe complète son offre de Mosfet de puissance basse tension avec des modèles canal N de 40V et 45V. Ceux-ci mettent à profit le process U-MOS IX-H du japonais. Aux dires de ce dernier, dans leur catégorie, ces transistors affichent une faible résistance à l’état passant inédite. A une tension VGS de 10V, la valeur de cette RDS(on) est comprise entre 0,8 et 7,5 mOhms. Par ailleurs, la charge de grille reste faible. Il en résulte un facteur de mérite nettement amélioré par rapport aux Mosfet U-MOS VIII-H de génération précédente.
Ces Mosfet sont ciblent les applications industrielles et grand-public, pour la réalisation de convertisseurs DC-DC ou AC-DC, d’alimentations à découpage à haut rendement et de variateurs de vitesse. Ils sont proposés en boîtiers SOP-Advance de 5x6mm et TSON-Advance de 3x3mm.
