Le japonais présente une mémoire Sram embarquée à double port en technologie FinFET 16 nm, destinée aux systèmes automobiles d’infodivertissement.

Renesas Electronics a présenté lors du salon IEDM ses travaux sur une mémoire Sram embarquée à double accès optimisée pour l’infodivertissement automobile et compatible avec les circuits complexes en technologie FinFET 16 nm et en-deçà. Elle présente une densité de 3,6Mbit/mm² en 16 nm, une caractéristique essentielle car le traitement d’images et de vidéos est appelé à se développer dans l’automobile et met en oeuvre des quantités élevées de mémoire.

Cette technologie Sram peut en outre effectuer une opération en 688ps sous seulement 0,7V. Sa structure à double port permet de lire des données et d’en écrire d’autre simultanément.