Le japonais utilise des substrats FD-SOI de Soitec pour abaisser la consommation énergétique de ses microcontrôleurs 65 nm à coeur Cortex-M0+.
Renesas Electronics inaugure une nouvelle technologie de fabrication 65 nm baptisée SOTB (silicon-on-thin-buried-oxide) avec le lancement d’un microcontrôleur à coeur Cortex-M0+ consommant seulement 20µA/MHz en mode actif et 150nA en veille, dix fois moins que les composants conventionnels selon le japonais. La technologie SOTB exploite des tranches de substrat FD-SOI de Soitec dotées de la plus fine couche d’oxide enterrée de l’industrie, pour un contrôle amélioré des propriétés électrostatiques des transistors.
Fonctionnant jusqu’à 32MHz et même 64MHz en mode boost, le microcontrôleur R7F0E embarque jusqu’à 1,5Mo de mémoire flash et 256Ko de Sram, ainsi qu’un convertisseur analogique-numérique 14 bits 32Kéch./s consommant 3µA, un moteur graphique 2D, un accélérateur de cryptage AES avec générateur de nombres aléatoires et une interface directe pour dispositifs de récupération d’énergie. Réservés pour l’heure à des clients sélectionnés, les échantillons du R7F0E seront disponibles pour tous en juillet 2019, avec une production en volume prévue pour octobre 2019.
