Le japonais Renesas lance des SRam basse consommation de 8 Mbits en technologie 110 nm, et planche sur des modèles 16 Mbits.

Renesas Electronics échantillonne des versions 8Mbits et 110nm de ses mémoires SRam basse consommation, des modèles qui viennent s’ajouter aux versions 4Mbits lancées fin 2013 et fabriquées en technologie 150nm.

Ces puces consomment 2µA à 25°C en veille, et présentent un temps d’accès de 45 à 55ns.

Leur fiabilité est renforcée par une structure interne utilisant un condensateur au niveau du noeud mémoire et des transistors à canal P en polysilicium TFT, ce qui limite les erreurs de lecture et les phénomènes de verrouillage (latch-up).

Des versions 16MBits sont en cours de développement.