Conçus pour les alimentations utilisées dans les serveurs, ces Mosfet affichent une résistance à l’état passant de moitié inférieure à celle des transistors de précédente génération de la société. Renesas Electronics introduit trois Mosfet 30 V à faible résistance à l’état passant, typiquement conçus pour faire office de diodes idéales, dans les configurations d’alimentations redondantes (ORing) mises en œuvre dans les serveurs informatiques et les systèmes de stockage de données.

Ainsi, le modèle μPA2766T1A (130 A de courant de drain) en boîtier HVSON de 5 x 6 mm affiche une résistance typique de 0,72 mOhm (à 10 V).
Soit une valeur de moitié inférieure au meilleur Mosfet jusque-là proposé par la société.
Les autres références sont les µPA2764T1A (130 A, 0,9 mOhm) et µPA2765T1A (100 A, 1,05 mOhm).
Des échantillons de ces composants sont actuellement disponibles, pour une mise en production en février.