Référencé AFGHL50T65SQDC, cet IGBT de 650V intègre une diode Schottky en carbure de silicium. Il est accompagné d’une série de pilotes de grille à fort courant.
A l’occasion de la manifestation PCIM, qui se tiendra du 7 au 9 mai à Nuremberg, ON Semiconductor présentera un IGBT hybride de 650V incluant une diode Schottky en carbure de silicium. L’ensemble entend offrir de faibles pertes, tant en régime de conduction que de commutation. Référencé AFGHL50T65SQDC, cet IGBT de quatrième génération, en boîtier TO-247-3L, est en mesure de délivrer un courant de drain de 100A et 50A, respectivement à 25°C et 100°C (températures de boîtier). Pour des intensités supérieures, le coefficient de température positif facilite la mise en parallèle des IGBT. Quant à la tension de saturation (VCE(sat)), elle est typiquement de 1,6V à 50A.
Qualifié AEC-Q101, le composant encaisse une température de jonction de 175°C. Il trouvera son juste emploi dans les chargeurs de batterie pour les véhicules électriques/hybrides, les convertisseurs DC-DC, les étages de correction du facteur de puissance (PFC) et les onduleurs industriels. Pour exploiter le potentiel de cet IGBT, la société propose les pilotes de grille de la série NCD(V)57000 (en l’occurrence les NCD57000, NCD57001, NCV57000 et NCV57001). Ces drivers à fort courant (+7,8A/-7,1A) offrent une isolation de 5kVeff (UL1577). Le boîtier SOIC-16W garantit une distance d’isolement de 8 mm entre l’entrée et la sortie.
