L’américain lance une série de diodes Schottky SiC de 650V couvrant la plage 6A à 50A. Les versions sont proposées en boîtiers CMS ou à broches traversantes.

ON Semiconductor annonce une nouvelle famille de diodes Schottky 650V en carbure de silicium (l’américain dispose également d’un catalogue de diodes Schottky SiC de 1200V), fonctionnant entre -55°C et +175°C. Celles-ci sont proposées en version CMS ou avec des broches traversantes. L’ensemble couvre la plage 6A à 50A

Ces diodes en SiC offrent de nombreux attraits : une faible tension directe, une stablité du courant indépendante de la température, une excellente robustesse, un temps de recouvrement inverse nul, un coefficient de température positif. Elles trouveront leur juste emploi dans les convertisseurs élévateurs et pour la correction du facteur de puissance, dans un grand nombre d’applications : onduleurs solaires, chargeurs pour véhicules automobiles électriques/hybrides, alimentations pour les télécoms et les centres de données…

Ces composants sont disponibles en boîtiers DPAK, TO-220 et TO-247. Par quantité de 1000 pièces, leur prix unitaire va de 1,30$ à 14,39$.