La société a introduit une série de diodes à faible capacité pour protéger les antennes NFC vis-à-vis des décharges électrostatiques.
NXP Semiconductors lance une série de diodes dédiées à la protection contre les décharges électrostatiques des antennes NFC (Near field communication) intégrées dans les produits mobiles.
Présentées dans des boîtiers DFN1006-2, dont les dimensions sont de 1×0,6×0,48 mm, les PESD18VF1BL et PESD24VF1BL sont des versions bidirectionnelles dont la tenue en tension inverse (VRWM) est de 18 V et 24 V, respectivement.
Ces diodes affichent une faible capacité de 0,35 pF, en valeur typique. Elles sont conformes aux spécifications de la norme IEC61000-4-2, niveau 4, pour la protection jusqu’à ±10 kV.
Le modèle PESD18VF1BL est d’ores et déjà disponible, au prix unitaire indicatif de 0,05 $, par quantité de 10 000 pièces. Le modèle PESD24VF1BL sera quant à lui disponible en volume au premier trimestre 2014.
Deux autres références en boîtiers DSN0603 (0,6×0,3×0,3 mm) seront introduites par la société au second trimestre 2014.
