Afin d’abaisser les coûts, la société a opté pour des boîtiers plastique et non plus céramique pour toute une gamme de produits RF qu’elle s’apprête à lancer. NXP Semiconductors annonce la mise en chantier d’une famille complète de MMIC et de transistors de puissance RF destinés à couvrir globalement la bande de fréquence DC-3,5 GHz.
Sont ainsi visées : les transmissions dans les bandes ISM entre 10 MHz et 500 MHz et à 2,45 GHz, les applications broadcast (470 MHz à 860 MHz), W-CDMA, GSM (700 MHz à 2,2 GHz) et LTE (2,3 GHz à 2,7 GHz), ainsi que celles exploitant la bande S (2,7 GHz à 3,5 GHz).

Afin d’abaisser les coûts de quelque 20 %, la société a opté pour des boîtiers plastique surmoulés, moins onéreux que les boîtiers céramique.
L’éventail des produits se décompose en drivers large bande en boîtiers HVSON délivrant entre 2,5 W et 10 W, de drivers (25 W à 45 W) à un seul étage, de MMIC (20 W à 60 W) à deux étages, d’amplificateurs de puissance (50 W à 110 W) en configuration Doherty et de transistors de forte puissance (50 W à 200 W) au format SOT502.