Proposés dans des petits boîtiers de 2×2 mm, les doubles transistors de NXP affichent une tension de saturation de 60 mV seulement. NXP Semiconductors lance une série de quinze doubles transistors dans des petits boîtiers DFN2020-6 (SOT1118) de 2 x 2 mm, pour une hauteur de 0,6 mm.
Les nouveaux venus trouveront leur juste emploi dans les applications de gestion d’énergie et de commutation de charge.

Ces transistors sont proposés en versions 30 V, 60 V et 120 V (tension de collecteur V_CEO). Ils supportent un courant collecteur jusqu’à 2 A (3 A en valeur crête).
Mais leur grand intérêt réside dans leur faible tension de déchet, permettant ainsi de prolonger la durée de vie de la batterie des appareils portables.
En effet, le V_CE(sat) est ici limité à 60 mV seulement.
Qualifiés AEC-Q101, tous ces transistors conviennent aux applications automobiles.