La société a dévoilé le GAN063-650WSA, son premier transistor Fet de 650V à base de nitrure de gallium pour les marchés automobile et industriel, ainsi que pour les infrastructures télécoms.

Le GAN063-650WSA est le premier Fet à base de nitrure de gallium de Nexperia. Il s’agit là d’un transistor GaN/Si robuste de 650V normalement bloqué (la configuration interne est de type cascode, avec un Hemt GaN associé à un Mosfet silicium), dont la tension grille-source est de ±20V et la température de fonctionnement comprise entre -55°C et +175°C. La résistance à l’état passant (R_DS(on)) est de 60 mOhms max.(50 mOhms en valeur typique). Les marchés ciblés sont notamment les véhicules électriques (à cet effet le produit est qualifié AEC-Q101), les centres de données, les infrastructures télécoms, les automatismes industriels et les alimentations de forte puissance. Le GAN063-650WSA se présente sous la forme d’un boîtier TO-247 standard.