Les Mosfet de puissance en boîtier LFPAK33 annoncés par la société affichent une empreinte de 10,9mm², bien inférieure à celle d’un transistor au format DPAK.

Nexperia (l’ancienne division produits standard de NXP) annonce la disponibilité de Mosfet de puissance en boîtier LFPAK33 pour le marché automobile. Par rapport aux transistors traditionnels au format DPAK, l’empreinte sur la carte (soit 3,3×3,3mm) a été réduite de 80% environ. Afin d’abaisser la résistance et l’inductance du boîtier, il est ici fait usage d’un clip de cuivre. Enfin, la température maximale de jonction est de 175°C. Les différents modèles sont proposés dans la gamme 30V-100V, pour une intensité du courant de drain atteignant 70A.