La très faible R_DS(on) des Mosfet NextPowerS3 en boîtiers LFPAK56 et LFPAK33 est obtenue sans compromis sur les paramètres essentiels que sont le courant maximal de drain, l’aire de sécurité et la charge de grille.

En termes de résistance à l’état passant, les Mosfet en tranchée de Nexperia se bonifient encore avec la dernière génération de transistors NextPowerS3 en technologie Trench 11 de la société. Et ce, dixit Nexperia, sans compromis sur les paramètres importants que sont le courant maximal de drain (I_D(max)), l’aire de sécurité (SOA) et la charge de grille (Q_G).

Une faible R_DS(on) est une propriété recherchée dans de nombreuses applications comme le redressement synchrone, la commande de moteur, la protection de batterie, les configurations ORing, l’insertion à chaud (hot-swap)… Ainsi, le Mosfet 30V canal N référencé PSMNR58-30YLH (en boîtier LFPAK56, dont l’empreinte est de 30mm²) est crédité d’une R_DS(on) de 0,67 mOhm seulement, alors que son courant de drain atteint 380A à V_GS=10V.

Ces Mosfet sont proposés en boîtiers LFPAK56 (Power-SO8) et LFPAK33 (Power33), avec clip de cuivre pour absorber les chocs thermiques.