Ces transistors basse tension 40 V ou 55 V, qualifiés AEC-Q101, affichent un excellent facteur de mérite. Membres de la famille NP, les derniers Mosfet de puissance de Nec Electronics Europe font appel à la technologie SuperJunction1 (SJ1) du Japonais.
Par rapport à la structure UMOS-4 en tranchée, SJ1 induit une charge de grille et une capacité d’entrée réduites de quelque 40 %, tout en conservant une faible résistance à l’état passant.
Pour les NP180N04TUJ et NP180N055TUJ, des modèles caractérisés par une tension VDS de 40 V et 55 V respectivement, le RDS(on) est typiquement de 1,5 mOhm ou 2,3 mOhms. Avec un courant de drain de 180 A, ils répondent aux exigences des sous-systèmes automobiles, comme les directions assistées et les alterno-démarreurs, qui requièrent une forte capacité en courant.
Ces deux Mosfet, ainsi que les NP160N04TUJ (40 V et 160 A) et NP160N055TUJ (55 V et 160 A), sont qualifiés AEC-Q101 et sont spécifiés pour une température de jonction de 175°C.
Proposés dans le nouveau boîtier TO-263-7p à dissipation thermique améliorée, ils sont actuellement échantillonnés, pour une production en volume prévue pour mai 2010.
