La famille est constituée de 48 modèles de 650V et 1200V en différents boîtiers, destinés aux applications industrielles.
Mitsubishi Electric compte échantillonner à partir du 30 juin des modules de puissance embarquant des IGBT de structure CSTBT (Carrier stored trench gate bipolar transistor) et des diodes de septième génération. Grâce à ces nouvelles puces, les pertes globales ont été réduites de 15 % environ. Du moins dans le cadre d’une application typique de commande de moteur avec un onduleur triphasé et dans des conditions d’emploi similaires (fréquence de commutation de 10kHz, tension de 600V, tailles de puces identiques…).
Une gamme complète de 48 modèles de 650V et 1200V (en configurations 2-en-1, 6-en-1 ou 7-en-1), pour des calibres en courant entre 100A et 1000A, est annoncée. Les boîtiers sont standard, ou de type NX avec contacts brasés ou pressés sur le circuit imprimé. Grâce à un packaging amélioré, par rapport aux modules de génération antérieure du japonais, une réduction de 30% des inductances parasites a été obtenue. A cela s’ajoute une meilleure tenue lors des cycles thermiques et de puissance. Les onduleurs d’usage général, les alimentations UPS et autres équipements destinés au monde industriel sont ici ciblés par le numéro un mondial des modules à semi-conducteurs de puissance (en termes de revenus, selon une estimation réalisée par IHS en 2014).
