Microsemi étend son offre de diodes Schottky en carbure de silicium

Le 17/10/2013 à 7:57 par Philippe Dumoulin

Au nombre de quatre, les diodes 650 V en SiC de l’américain sont essentiellement destinées aux applications industrielles de forte puissance.

Microsemi complète son catalogue de diodes Schottky en carbure de silicium avec une série de composants affichant une tenue en tension de 650 V.

L’ensemble se compose de quatre éléments : les APT10SCD65K (650V, 10 A, boîtier TO-220), APT10SCD65KCT (650 V, 10 A, cathode commune, boîtier TO-220), APT20SCD65K (650 V, 20 A, boîtier TO-220) et APT30SCD65B (650 V, 30 A, boîtier TO-247).

Tous ces produits sont actuellement en production. Les applications industrielles d forte puissance, incluant les onduleurs solaires, sont essentiellement visées.

 

Copy link
Powered by Social Snap