Par rapport à l’existant, les derniers IGBT 1200 V en technologie NPT de la société afficheraient des pertes totales en baisse de 20 %. Microsemi introduit les premiers éléments d’une nouvelle famille d’IGBT 1200 V en technologie NPT (non-punch through) réalisés selon le procédé Power MOS 8 de la société.
Par rapport aux solutions concurrentes, l’américain estime avoir diminué les pertes totales (en commutation et en conduction) de quelque 20 %.
Les applications visées par ces IGBT concernent les onduleurs solaires, le soudage, les alimentations secourues et à découpage.

Les premiers modèles sont les APT40GR120B, APT40GR120S et APT120B2D30. Ceux-ci sont proposés dans des boîtiers TO-247, D3PAK et T-MAX, respectivement. Dans le cas de la dernière référence indiquée, le transistor inclut une diode 30 A à temps de recouvrement ultra-court.