Les trois nouveaux IGBT de la société exploitent la technologie Power MOS 8 qui permettrait, vis-à-vis des produits concurrents, d’abaisser les pertes de 20 % environ. Microsemi annonce la disponibilité de trois nouveaux IGBT 1200 V en structure NPT (Non-punch through). Ces composants tirent bénéfice de la technologie Power MOS 8 de la société.
Celle-ci permet, selon la société, d’abaisser les pertes totales, en conduction et en commutation, de quelque 20 % par rapport aux produits concurrents.
Les onduleurs solaires, les alimentations secourues et à découpage, le soudage à l’arc sont les applications et marchés visés.
Ces IGBT sont référencés APT85GR120B2 (en boîtier TO-247 MAX), APT85GR120L (en boîtier TO-264) et APT85GR120J (en boîtier SOT-227).
Une version estampillée APT85GR120JD60, au format SOT-227, incluant une diode 60 A antiparallèle, sera bientôt proposée.
