L’américain devance cette fois ses concurrents Samsung, Kioxia et SK Hynix dans la course aux mémoires flash Nand 3D.
Micron affirme être le premier fabricant de mémoires flash Nand 3D à livrer des modèles disposant de 176 couches de cellules mémoires, devançant Samsung, Kioxia et SK Hynix qui développent des mémoires similaires. A capacité égale, cette cinquième génération de flash Nand 3D de Micron offre un gain de 35% en latence de lecture et d’écriture et de 30% en compacité. Le débit de données atteint 1600 MT/s via le bus ONFI. Les flash Nand à 176 niveaux sont en production dans l’usine de Singapour et livrées en volume aux clients de Micron, y compris dans les disques durs grand public Crucial.
