Micron intègre la correction d’erreur à ses mémoires flash Nand

Le 03/12/2010 à 11:21 par Frédéric Rémond

L’américain tente de résoudre le problème des erreurs de bits typiques des flash en géométrie 20 nm et moins. Micron lance une famille de mémoires flash Nand intégrant des mécanismes de gestion d’erreur. Ces ClearNAND entendent relever le défi des géométries les plus fines (20 nm et moins) pour lesquelles les erreurs de bits tendent à se multiplier. Fabriqués dans son process MLC 25 nm, les premiers modèles se répartissent en deux gammes, Standard et Enhanced.

Destinés au grand public, les Standard emmbarquent de 8 à 32 Go par boîtier et délivrent le système de la correction d’erreur ECC avec, promet Micron, des changements minimes de protocole par rapport aux Nand “brutes”. Plus professionnels, les modèles Enhanced intègrent entre 16 et 64 Go et tirent partie de fonctions spécifiques et d’une interface ONFI 2.2 synchrone ou asynchrone.

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