La seconde génération de mémoires flash Nand à 64 couches de l’américain gagne en compacité et en rapidité.

Micron Technology a lancé sa seconde génération de mémoires flash Nand 3D à 64 couches, des circuits de 32Go conformes au standard UFS 2.1 et disponibles dans des associations de 64, 128 et 256Go. Ces mémoires sont basées sur une architecture de cellule mémoire à trois bits (TLC). Elles sont décrites comme étant 50% plus rapides que la génération précédente de Nand 3D TLC de l’américain pour une densité doublée – la puce de 32Go mesure moins de 60mm², un record dans l’industrie selon Micron. L’interface UFS 2.1 permet, elle, d’offrir jusqu’à trois fois plus de bande passante que les modèles e.MMC 5.1.