L’américain lance un module multipuce comprenant une mémoire à changement de phase 512 Mbits et une mémoire LPDDR2 de 512 Mbits chacune. Micron échantillonne un module multipuce comprenant une mémoire à changement de phase (PCM) de 512 Mbits et une mémoire Dram LPDDR2 de 512 Mbits. Ce module vient s’ajouter au module PCM de 1 Gbits que Micron livre désormais en volume, notamment à Nokia pour ses smartphones. Les puces PCM sont fabriqués en technologie Cmos 45 nm.
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