Le japonais met au point la fabrication de microcontrôleurs en technologie FinFET 16/14 nm avec des mémoires flash embarquées susceptibles de dépasser les 100 Mo.
Renesas Electronics vient d’annoncer les premiers pas de la production en série de mémoires flash pour microcontrôleurs dans une technologie de fabrication 16/14nm. Ce process SG-MONOS (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) fait appel à des transistors FinFET tridimensionnels, tels que ceux utilisés dans les technologies de pointe chez Intel, Samsung ou encore TSMC. La fabrication de blocs de mémoire flash dans un tel process permet d’envisager des microcontrôleurs embarquant 100Mo de mémoire flash ou davantage.
Pour l’heure, Renesas (et la majeure partie des autres fabricants de microcontrôleurs) fabrique ces circuits en Cmos 40nm et développe des versions 28nm. La génération 16/14nm n’est pas attendue avant 2023.
