Ces transistors remplacent avantageusement les Mosfet et les IGBT en silicium pour permettre une commutation ultra-rapide dans les systèmes de conversion d’énergie.

Littelfuse ajoute deux Mosfet de 1200V en carbure de silicium à son catalogue de transistors de puissance. Ces composants sont issus du partenariat conclu en 2015 entre Littelfuse et Monolith, dans le but de développer des semi-conducteurs de puissance pour les marchés industriel et automobile : véhicules électriques, machines industrielles, onduleurs solaires, équipements médicaux, alimentations à découpage, UPS, entraînemenst de moteurs, convertisseurs DC-DC, chauffage par induction, etc.

Les Mosfet en SiC LSIC1MO120E0120 (1200V/18A) et LSIC1MO120E0160 (1200V/14A) sont caractérisés par de faibles résistances à l’état passant. Celles-ci sont en effet de 120 et 160 mOhms, respectivement. Parmi leurs principaux avantages : une réduction des composants passifs de filtrage et une charge de grille et une capacitance de sortie très faibles. Ce qui, en association avec la faible résistance à l’état passant, se traduit par un rendement amélioré et un dissipateur moins volumineux.

Ces transistors sont disponibles en boîtier TO-247-3L, sous forme de tubes de 450 unités chacun.