La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

Littelfuse annonce deux séries de diodes Schottky 650V en carbure de silicium, certifiées AEC-Q101 pour le secteur automobile. Chacune des séries LSIC2SD065CxxA et LSIC2SD065AxxA est déclinée en versions de 6A, 8A, 10A, 16A et 20A, en boîtier TO-252-2L (DPAK) pour la première série, en boîtier TO-220-2L pour la seconde. Pour les concepteurs du domaine de l’électronique de puissance, ces diodes offrent de multiples attraits, notamment un courant de recouvrement inverse négligeable, une résistance élevée aux surtensions et une température maximale de jonction de 175°C. Par rapport aux diodes à jonction PN en silicium classiques, elles réduiront de façon drastique les pertes en régime de commutation, avec à la clé un rendement énergétique bien amélioré.

Ces diodes SiC de 650V trouveront leur juste emploi dans les étages de correction du facteur de puissance (PFC), dans les convertisseurs DC-DC buck/boost, comme diodes de roue libre dans les onduleurs, dans les redresseurs haute fréquence et, plus généralement, dans les applications en rapport avec les véhicules électriques.

“Ces nouvelles séries sont nos premières offres de diodes Schottky 650 V en carbure de silicium, nos produits antérieurs étant tous des versions 1200V. Ainsi, nous sommes désormais en mesure d’adresser un plus large éventail d’applications et de compléter notre portefeuille de Mosfet SiC“, s’est félicité Christophe Warin, Directeur marketing des produits en carbure de silicium au sein de la division Semi-conducteurs de Littelfuse.