Le remplacement des diodes bipolaires classiques par les dernières diodes Schottky SiC GEN2 de la société a pour effet de diminuer drastiquement les pertes en régime de commutation.

Quatre modèles viennent compléter le catalogue de diodes Schottky au carbure de silicium de Littelfuse. Il est ici question de diodes de 1200V dont les courants nominaux sont de 8A (LSIC2SD120A08 et LSIC2SD120C08), 15A (LSIC2SD120A15) ou 20A (LSIC2SD120A20). Les LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A15 et LSIC2SD120A20 sont proposées dans un boîtier TO-220-2L standard, alors que la LSIC2SD120C08 est disponible dans un boîtier TO-252-2L.

La structure MPS (Merged p-n Schottky) adoptée pour ces composants améliore la résistance aux pics de tension, tout en réduisant le courant de fuite. Le remplacement des diodes bipolaires classiques par ces nouvelles diodes Schottky SiC GEN2 a pour effet de diminuer drastiquement les pertes en régime de commutation. A cela s’ajoute la capacité à supporter de fortes intensités de crête sans emballement thermique, tout en travaillant à des températures de jonction aussi élevées que 175°C.

Ces diodes Schottky trouveront leur place dans les étages de correction du facteur de puissance et les convertisseurs DC-DC abaisseurs ou élévateurs, comme diodes de roue libre dans les onduleurs ou comme de diodes de redressement dans les applications haute fréquence.