Tirant bénéfice de la technologie Trench 6 de la société, ces transistors de puissance ont subi avec succès des tests d’endurance à 175 °C pendant 1600 heures. Pour le secteur automobile, NXP Semiconductors a dévoilé une famille de Mosfet de puissance tirant profit de la technologie Trench 6 de la société.
Ces transistors sont caractérisés par de très faibles résistances à l’état passant et d’excellentes performances en régime de commutation, mais aussi par une robustesse accrue.
Ainsi, ils ont subi avec succès des tests de durée de vie à 175 °C pendant plus de 1600 heures. Soit au-delà de ce qu’impose la certification AEC-Q101.

Les premiers modèles seront disponibles en boîtier D²PAK, pour des tenues en tension de 30 V, 40 V, 60 V, 80 V et 100 V.
Des versions en boîtier Power-SO8 LFPAK56 viendront ensuite.