Les derniers Mosfet de la société affichent des valeurs de résistances statiques très basses. Soit 13,5 mOhms et 22 mOhms à 4,5 V, pour des composants en boîtiers de 2 x 2 mm et 1,8 x 3 mm, respectivement. Deux Mosfet canal P viennent compléter la famille TrenchFET Gen III de Vishay Intertechnology.
Référencé SiA447DJ, le premier est un modèle 12 V présenté dans un boîtier PowerPAK SC70 de 2 mm de côté. Sa résistance à l’état passant de 13,5 mOhms à 4,5 V serait de 12 % inférieure à celle de son plus proche concurrent.
Notons par ailleurs que ce transistor est spécifié pour une tension de commande de 1,5 V seulement.
Le second Mosfet est le Si5429DU dont la tenue en tension est de 30 V. Crédité d’un faible facteur de forme (boîtier PowerPAK ChipFET de 1,8 x 3 x 0,8 mm), il présenterait également une valeur de RDS(on) inédite, soit 22 mOhms à 4,5 V.
Ce qui, selon la société, se traduit par un gain de 35 % par rapport à l’existant.
Ces transistors sont conçus pour les applications de commutation de charge ou de batterie dans les appareils électroniques portables.
