Ces mémoires offrent la même fiabilité que les modèles 150 nm actuels, et une consommation de seulement 2 µA en veille.

Renesas Electronics lance douze nouvelles mémoires SRam 4 Mbits à faible consommation fabriquées en Cmos 110 nm au lieu de 150 nm auparavant. Réunies dans la famille Advanced LP SRam, les RMLV0416E, RMLV0414E et RMLV0408E consomment moins de 2 µA à 25 °C en mode veille. Des modèles embarquant de 8 à 64 Mbits seront ajoutés au catalogue de Renesas à l’avenir.