Le boîtier UDFN6 permet de combiner un fort courant et une empreinte réduite sur la carte. Des Mosfet, simples ou doubles, à canal N ou P, sont proposés par la société. Toshiba Electronics Europe lance une famille de Mosfet à faible résistance à l’état passant dans un nouveau boîtier UDFN6 de hautes performances.
De type LGA, ce dernier permet de combiner un fort courant et une empreinte réduite sur la carte (2 x 2 mm). Ce qui répond aux exigences des applications mobiles ici visées.
La gamme de Mosfet adoptant le format UDFN6 comprend des modèles simples et doubles à canal N ou à canal P dont la tenue en tension est de 20 V ou 30 V max.
Les éléments à canal P trouveront leur juste emploi dans les chargeurs de batterie ou pour la commutation de charge.
Pour ce qui est de la référence SSM6J505NU, l’usage de la technologie UMOS-VI du japonais se traduit par une résistance à l’état passant inférieure à 61 mΩ, pour une tension VGS de seulement 1,2 V.
De leur côté, les modèles à canal N sont destinés aux applications de protection de batterie et aux circuits de charge sans fil.
Un Mosfet simple supporte un courant de drain à hauteur de 12 A. La version à deux transistors est de son côté spécifiée jusqu’à 4 A.
Les Mosfet à canal P sont référencés SSM6JxxxNU (simple) et SSM6PxxNU (double). Pour leur part, les modèles à canal N sont estampillés SSM6KxxxNU (simple) et SSM6NxxNU (double).
