Présentés dans des boîtiers LGA miniatures, les FemtoFET de Texas Instruments affichent, dans leur catégorie, une résistance à l’état passant à l’état de l’art.
Sous le nom de FemtoFET, Texas Instruments annonce une famille de Mosfet au format miniature pour applications mobiles. Couvrant la gamme 1,5 A à 3,1 A (courant de drain à 25°C), ces transistors sont en effet proposés dans des boîtiers LGA (Land grid array) dont les dimensions sont de 0,6x1x0,35 mm seulement. Par rapport aux produits en boîtiers CSP, l’empreinte sur la carte est réduite jusqu’à hauteur de 40 %.
Six modèles, canal n ou canal p, composent la famille FemtoFET. Parmi eux, les CSD17381F4 (canal n, 30 V/3,1 A) et CSD25481F4 (canal p, -20 V/2,5 A) affichent une résistance à l’état passant à l’état de l’art. A 4,5 V, cette résistance est typiquement de 90 mOhms. Ce qui, selon la société, représente un gain de 70 % vis-à-vis des produits équivalents actuellement sur le marché.
Enfin, la protection contre les décharges électrostatiques est supérieure à 4000 V (avec un modèle corps humain).
Les FemtoFET sont disponibles en volume. Leur prix unitaire va de 0,06 $ à 0,1 $, par quantité de 1000 pièces.
