Affichant de faibles résistances à l’état passant, les trois derniers TrenchFET en boîtiers Micro Foot de la société sont destinés aux produits électroniques portables. Vishay Intertechnology complète son catalogue de Mosfet de puissance avec des transistors TrenchFET à faible résistance à l’état passant en boîtiers Micro Foot.
D’un côté, les Si8424CDB (8 V, canal N) et Si8425DB (-20 V, canal P) sont présentés dans des boîtiers de 1,6 mm de côté. Pour une tension de grille de 4,5 V, ils sont crédités d’une résistance à l’état passant de 10 mOhms et 23 mOhms, respectivement.
De l’autre, le Si8466EDB est destiné aux applications pour lesquelles les contraintes d’encombrement sont fortes. A cet effet, ce Mosfet canal N de 8 V est encapsulé dans un boîtier de 1 x 1 mm seulement. Ce Mosfet offre une résistance maximale à l’état passant de 45 mOhms ainsi qu’une protection de 3000 V contre les décharges électrostatiques.
Tous ces transistors sont d’ores et déjà en production. Ils visent typiquement les applications de commutation de charge dans les produits électroniques portables (smartphones, tablettes…).
