La société introduit un Mosfet à superjonction de 650 V/42 A conditionné dans un boîtier TO247-4 à faible inductance parasite, pour un rendement amélioré. Issu de la famille MDMesh V, le dernier Mosfet de STMicroelectronics est proposé dans un nouveau boîtier TO247-4 à quatre contacts.
Celui-ci fournit une connexion directe à la source pour toutes les opérations de commutation.
Avec une inductance parasite moindre, il en résulte un rendement amélioré dans nombre d’applications de conversion d’énergie.
Selon la société, jusqu’à 60 % des pertes en régime de commutation sont en effet éliminées.

Par rapport au classique TO-247 à 3 connexions, ce nouveau boîtier implique peu de modifications du circuit imprimé. Il a été développé en collaboration avec Infineon, qui propose également sa propre gamme de transistors à superjonction en seconde source.
Pour l’heure, la première référence introduite par ST est le STW57N65M5-4, un Mosfet de 650 V/42 A, commercialisé au prix unitaire de 10 $, par lot de 1000 pièces.
Il trouvera son juste emploi dans les systèmes de correction du facteur de puissance et les convertisseurs de puissance en demi-pont ou en pont complet, mis en œuvre dans nombre d’applications industrielles et grand public.