Les Mosfet de puissance de NXP supportent les contraintes du « hot-swap »

Le 16/01/2013 à 19:06 par Philippe Dumoulin

Proposés en versions 30 V et 100 V, les Mosfet de la famille NextPower Live affichent d’excellentes caractéristiques en mode linéaire et une faible résistance à l’état passant. NXP Semiconductors introduit des Mosfet de puissance de nouvelle génération conçus pour supporter les fortes contraintes liées à l’insertion/retrait à chaud (hot-swap) des cartes électroniques.
Cela concerne notamment les systèmes fonctionnant 24 h sur 24 et 7 jours sur 7 (par exemple dans les domaines de la téléphonie mobile, du « cloud computing »…), pour lesquels les cartes des racks sont remplacées sous tension, aux fins de maintenance ou de mise à jour.

A cet effet, les membres de la famille « NextPower Live » associent d’excellentes performances en mode linéaire, une faible valeur de résistance à l’état passant et une aire de sécurité étendue afin de faire face aux forts courants d’appel mis en jeu.
Ces Mosfet en boîtiers D²PAK ou LFPAK56 (compatible Power-SO8) sont proposés en versions 30 V et 100 V.
Ce qui leur permet d’adresser un large spectre, allant des serveurs lames alimentés sous 12 V jusqu’aux applications télécoms dont la tension nominale est de 48 V.

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