Les derniers Mosfet PowerTrench de Fairchild Semiconductor sont encapsulés dans des boîtiers dont l’épaisseur est de 0,65 mm ou 0,4 mm seulement. Destinés aux appareils portables, pour lesquels les contraintes d’encombrement sont fortes, les derniers Mosfet canal N en tranchée de Fairchild Semiconductor sont encapsulés dans de minuscules boîtiers-puces, dont les dimensions sont de 1,5×1 mm (FDZ192NZ) ou 1×1 mm (FDZ372NZ). Ce qui, par rapport aux produits concurrents de 1,6×1,6 mm, se traduit par des gains surfaciques de 40 % ou 60 %. Quant à l’épaisseur de ces boîtiers WL-CSP, elle est de 0,65 mm ou 0,4 mm seulement.
Le FDZ192NZ est un modèle 20 V / 5,3 A affichant une résistance à l’état passant de 39 mOhms, pour un courant de drain de 2 A et une tension de commande VGS de 4,5 V. Dans les mêmes conditions, le rDS(on) du FDZ372NZ (un transistor 20 V / 4,7 A) est de 50 mOhms. Ces deux Mosfet sont également spécifiés à 1,5 V.
Par commande de 1000 pièces, les FDZ192NZ et FDZ372NZ sont respectivement proposés à 0,90 $ et 0,80 $. Ils trouveront leur juste emploi dans les systèmes de commutation de charge, de protection ou de gestion de batterie.
