Au nombre de 22, les Mosfet MDmesh M2 affichent une tenue en tension de 650V et couvrent la gamme 4A à 11A.

STMicroelectronics annonce la famille MDmesh M2 de Mosfet de puissance à superjonction qui, par rapport à leurs prédécesseurs, bénéficient de performances améliorées tant au niveau de la résistance à l’état passant, que de la charge de grille et des capacités d’entrée et de sortie.

Globalement, ces bénéfices se traduisent par des pertes moindres, une dissipation thermique améliorée et une fréquence de commutation supérieure.

Par ailleurs, la tenue en tension de 650V au lieu des 600V traditionnels, augmente la marge de sécurité des systèmes.

Pour l’heure, pas moins de 22 Mosfet MDmesh M2 650V sont disponibles, en boîtiers D²PAK, DPAK, TO-220 ou IPAK. L’ensemble couvre la gamme 4A à 11A. Pour une densité de puissance accrue, le boîtier PowerFLAT 5×6 HV, au format CMS à bas profil et à empreinte réduite, sera proposé au premier trimestre 2015. Une solution notamment avantageuse pour les micro-onduleurs solaires estime la société.

Les prix démarrent à 0,92$ l’unité, par quantité de 1000 pièces.