Le TrenchFET 60V SiR626DP en boîtier PowerPAK SO-8 est caractérisé par une résistance à l’état passant de 1,7mOhm seulement.
A destination des topologies de conversion d’énergie à haut rendement, Vishay Intertechnology introduit un Mosfet “TrenchFET Gen IV” de 60V en boîtier PowerPAK SO-8, crédité d’une très faible résistance à l’état passant. Par rapport aux Mosfet canal N de précédente génération de la société, le SiR626DP affiche une RDS(on) de 36% inférieure. Celle-ci est de 1,7mOhm à VGS=10V et de 2mOhms à VGS=7,5V. Avec une charge totale de grille de 52nC, il en résulte un excellent facteur de mérite. La charge de sortie (Qoss) est quant à elle de 68nC et la capacité de sortie (Coss) de 992pF.
Ces spécifications, meilleures que celles de la génération précédente, se traduisant par des pertes moindres en conduction et en commutation dans un grand nombre d’applications : le redressement synchrone dans les convertisseurs AC-DC, la commutation côté primaire et côté secondaire dans les topologies DC-DC destinées aux micro-onduleurs solaires et aux alimentations pour les télécoms, les serveurs et les équipements médicaux, la commutation de charge et de batterie… Des échantillons du SiR626DP sont d’ores et déjà disponibles.
