Ces Mosfet sont une alternative aux modèles plus encombrants proposés dans des boîtiers D²PAK. La connexion Kelvin à la source leur confère une immunité accrue vis-à-vis du bruit.
Vishay Intertechnology propose des Mosfet de puissance 600 V Series E dans un boîtier de type PowerPAK 8×8 (8x8mm), plus compact que les traditionnels formats TO-220 et TO-263 (D²PAK). Au nombre de quatre, ces transistors sont référencés SiHH26N60E (600V/25A), SiHH21N60E (600V/20A), SiHH14N60E (600V/16A) et SiHH11N60E (600V/11A).
Tous sont dotés d’une large terminaison de drain pour abaisser la résistance thermique et d’une connexion Kelvin à la broche de source. Dans les alimentations destinées aux télécoms, aux serveurs, à l’informatique, à l’éclairage et aux applications industrielles, il en résulte une vitesse de commutation plus rapide et une immunité accrue vis-à-vis du bruit. Pour ces Mosfet à superjonction, la résistance à l’état passant va de 135 à 339 mOhms, valeurs maximales à 10V. Quant à la charge de grille, elle évolue entre 77 et 31nC.
