Le sud-coréen initie la production en volume de ses premiers modules mémoires 512 Go pour smartphones haut de gamme répondant à la norme eUFS 3.1, qui apporte des gains significatifs en lecture et en écriture.

Samsung a démarré la production en volume de mémoires eUFS 3.1 de 512Go pour ses smartphones haut de gamme. Trois fois plus rapides en écriture séquentielle que les précédentes eUFS 3.0 (jusqu’à 1200Mo/s), ces mémoires flash Nand offrent des gains pouvant atteindre 60% en lecture et écriture aléatoire. Des versions 128Go et 256Go sont également prévues. Le sud-coréen a démarré la production de sa cinquième génération de puces flash à empilement V-Nand dans son usine neuve de Xi’an (Chine) et devrait bientôt passer à la sixième génération dans son usine domestique de Pyeongtaek.