Le japonais ajoute des modèles d’entrée de gamme à sa famille de microcontrôleurs Cortex-M0+ sur substrat SOTB à basse consommation. 

Un peu à part dans le catalogue de Renesas Electronics car basés sur un process spécifique silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB), les microcontrôleurs RE s’enrichissent d’une nouvelle famille, les R7F0E01182xxx. Toujours architecturés autour d’un coeur Cortex-M0+ et destinés aux applications à très faible consommation, ces circuits n’embarquent que 256Ko de mémoire flash (1,5Mo pour les modèles existants) et conviennent donc aux systèmes d’entrée de gamme compacts (boîtier WLBGA de 3,16×2,88mm).

Ils consomment typiquement 25µA/MHz lorsqu’ils utilisent le régulateur LDO interne et 12µA/MHz avec un convertisseur DC-DC externe, pour un courant de veille logicielle de 400nA. Les R7F0E01182xxx tournent jusqu’à 64MHz sous 1,62V à 3,6V. Leur score au banc d’essai EEMBC ULPMark-CP atteint 705, soit bien davantage que les autres microcontrôleurs à basse consommation testés tels que l’ATSAML11E16A de Microchip (410), le STM32L412 de STMicroelectronics (447) et même les Apollo512 d’Ambiq Micro (553).