Le sud-coréen lance une famille de mémoires Dram DDR4 fabriquées en technologie planaire “classique”, sans ultraviolets extrêmes, avec une géométrie de gravure inférieure à 20 nm.

Samsung vient d’entamer la production en volume des premières puces mémoires Dram DDR4 en technologie “de classe 10nm” de l’industrie, c’est-à-dire., dans le jargon du fabricant, fabriquées avec une géométrie de gravure comprise entre 10nm et 19nm, sans doute dans la partie supérieure de cet intervalle. D’une capacité de 8Gbits, elles permettent de gagner 30% en productivité par tranche de silicium par rapport aux modèles “de classe” 20nm.

Ces mémoires offrent un débit de données de 3200Mbit/s (contre 2400Mbit/s pour les Dram 20nm du sud-coréen), tout en consommant entre 10% et 20% d’énergie en moins. Samsung a pour cela utilisé une architecture innovante, une lithographie relativement classique à immersion ArF, un diélectrique ultra-fin et une fabrication à quadruple motif de gravure (quadruple patterning) – pas d’ultraviolets extrêmes donc. Des modèles destinés aux applications nomades seront également lancés cette année.