Samsung accélère la fabrication de mémoires et modules Dram DDR4 gravés aux EUV.

Samsung vient de livrer son premier million de modules Dram DDR4 en technologie FinFET 10nm avec lithographie aux ultraviolets extrêmes (EUV). Le sud-coréen espère désormais récolter les fruits d’une implication précoce dans la technologie EUV, qui réduit le nombre de masques et améliore la précision de gravure. Elle devrait être employée dès l’an prochain pour la production de mémoires DDR5 et LPDDR5, et une seconde ligne de production équipée EUV sera installée au second semestre 2020 sur le site de Pyeongtaek.