Les derniers membres de la famille InnoSwitch3 intègrent des commutateurs de puissance au nitrure de gallium. Ce qui se traduit par des gains appréciables en termes de rendement et de compacité d’un adaptateur AC-DC.
Power Integrations complète sa gamme de InnoSwitch3 de circuits intégrés de conversion AC-DC de puissance. Les nouveaux venus offrent un rendement atteignant 95% quelle que soit la charge. Ce qui permettra de réaliser des adaptateurs de 100 W de grande compacité, sans dissipateur thermique. Par rapport à l’existant, le gain de performance obtenu est lié à l’adoption d’une technologie GaN haute tension, développée en interne.
Les circuits intégrés quasi-résonants issus des familles InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP et InnoSwitch3-Pro de la société conjuguent les circuiteries primaire, secondaire et de contre-réaction d’une alimentation secteur dans un même boîtier CMS. Côté primaire, le remplacement des Mosfet haute tension au silicium traditionnels par des commutateurs 750 V à base de nitrure de gallium a pour effet de limiter les pertes en régime de conduction (lorsque le courant circule) et de réduire considérablement les pertes de commutation en cours de fonctionnement. Destinés aux conceptions flyback à haut rendement (notamment les adaptateurs et chargeurs USB-PD destinés aux appareils mobiles), ces produits assurent une régulation fiable à tension constante/courant constant/puissance constante (CV/CC/CP), indépendamment des composants externes, tout en facilitant l’interfaçage avec les circuits intégrés incorporant des protocoles de charge rapide.
Les variantes InnoSwitch3-CP et EP sont configurables par voie matérielle, tandis que la version InnoSwitch3-Pro dispose d’une interface numérique évoluée. Celle-ci permet de définir par logiciel les points de consigne de tension constante et de courant constant, la gestion des exceptions et les options relatives aux modes de sécurité. “La technologie GaN est essentielle pour gagner en rendement et en miniaturisation par rapport au silicium. Nous prévoyons une conversion rapide des transistors au silicium vers le GaN dans de nombreuses applications de puissance“, a commenté Balu Balakrishnan, président et CEO de Power Integrations.
Les InnoSwitch3 à base de GaN sont d’ores et déjà disponibles au prix unitaire de 4$ par quantité de 10000 pièces. Cinq exemples de designs de référence, pour concevoir des chargeurs USB-PD de 60W à 100W, sont disponibles sur le site web de Power Integrations. S’ajoute l’outil de conception automatisé PI Expert et d’autres documentations de support technique.
