Malgré leurs dimensions réduites, les deux derniers transistors bipolaires de Diodes sont susceptibles de dissiper 0,38 W avec une surface de cuivre minimale. Eu égard à leurs tenues en courant respectives de 1,5 A et 1,25 A, les transistors bipolaires 20 V ZXTN26020DMF (canal N) et ZXTP26020DMF (canal P) sont annoncés par Diodes comme étant les plus petits de l’industrie.
Ceux-ci sont effectivement encapsulés dans des boîtiers CMS de type DFN1411-3, dont les dimensions sont de 1,4×1,1 mm.
Comparativement aux modèles conventionnels en boîtier classique SOT23, cela se traduit par une réduction de 78 % de l’empreinte sur la carte. Quant à leur épaisseur, elle est de 0,5 mm seulement.
La puissance dissipée correspondante est de 0,38 W, avec la surface de cuivre minimale sur circuit imprimé FR-4 recommandée par le fabricant.
Qualifiés AEC-Q101, les nouveaux venus affichent également une faible tension de saturation VCE(sat) (70 mV ou 100 mV à 0,5 A) et un gain en courant de 300 à Ic=100 mA. Ils sont par ailleurs capables de fournir un courant crête de 4 A en mode pulsé.
Parmi les applications visées : la commande de grille des Mosfet et des IGBT, les convertisseurs DC-DC, le pilotage des LED, l’interfaçage entre un circuit intégré basse tension et une charge…
