Nouveau membre de la famille EZ-GaN de Transphorm, le TPH3205WS affiche une résistance à l’état passant de seulement 63mOhms.

Transphorm a procédé à l’échantillonnage du premier transistor Hemt 600V en boîtier TO-247 faisant appel à une technologie nitrure de gallium. Référencé TPH3205WS, ce nouveau membre de la famille EZ-GaN est crédité d’une résistance drain-source à l’état passant de seulement 63mOhms, alors que son calibre en courant est de 34A. Sa conception optimisée a pour effet de limiter les problèmes d’interférences électromagnétiques en présence de forts dV/dt.

Avec ce produit, la société sera en mesure d’adresser le segment des onduleurs photovoltaïques dont la puissance s’étage entre quelques centaines de watts (micro-onduleurs) et plusieurs kilowatts (onduleurs centraux pour le résidentiel).