Optimisé pour les applications de commutation de charge et de batterie, le dernier TrenchFET de Vishay affiche une résistance à l’état passant de 1,6 mOhm à -10 V.
Vishay Intertechnology complète son offre de transistors TrenchFET de troisième génération (Gen III) avec un modèle canal P de -20 V offrant une très faible résistance à l’état passant. Cette RDS(on) est en effet de seulement 1,6 mOhm et 2 mOhms, à -10 V et -5 V respectivement.
Référencé Si7157DP, ce Mosfet est optimisé pour les applications de commutation de charge et de batterie dans les ordinateurs ultraportables. Il est proposé dans un boîtier PowerPAK SO-8, dont les dimensions sont de 5×6 mm.
