L’américain Cree compète son catalogue de Mosfet de puissance en carbure de silicium avec un composant affichant une tension de blocage de 900V.
A destination des applications de puissance haute fréquence, Cree annonce son premier Mosfet canal N de 900V en carbure de silicium. Complétant l’offre 1200V de l’américain, ce transistor en technologie planaire, référencé C3M0065090J, cible les onduleurs pour les énergies renouvelables, les systèmes de recharge des véhicules électriques, les convertisseurs DC-DC haute tension et les alimentations triphasées industrielles.
Ce composant entend pallier les limitations des Mosfet 900V en silicium, tant en termes de pertes en régime de commutation haute fréquence que de résistance à l’état passant. La RDS(on) des Mosfet traditionnels en silicium croît en effet fortement avec la température, impliquant des problèmes de gestion thermique et un déclassement en fonction de la température. A contrario, le C3M0065090J affiche typiquement une résistance à l’état passant de 90 mOhms seulement, à une température de jonction de 150°C (à VGS=15V et ID=20A). Ce composant est par ailleurs apte à délivrer un courant continu de drain de 22A à 100°C. Il est proposé en différents boîtiers TO-247-3 et D²PAK avec connexion Kelvin.
